SE20040A
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W(Tc) 类型:N沟道
SE20040A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)40A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻41mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)220W(Tc)
类型N沟道
SE20040A
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SE20040A | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W(Tc) 类型:N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 503.59 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | SE20040A | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥5.04 10+:¥3.79 30+:¥3.56 100+:¥3.33 500+:¥3.23 1000+:¥3.18
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