SE1991G
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):223W 类型:N沟道
SE1991G的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)223W
类型N沟道
SE1991G
SE1991G的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | SE1991G | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):223W 类型:N沟道 | 1+:¥5.65 10+:¥4.22 30+:¥3.95 100+:¥3.69 500+:¥3.57 1000+:¥3.51
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 立创商城 | SE1991GA | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):223W 类型:N沟道 | 1+:¥5.65 10+:¥4.25 30+:¥3.99 100+:¥3.73 500+:¥3.62 1000+:¥3.56
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