SE1991GA
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：223W 类型：N沟道
SE1991GA的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）120A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）223W
类型N沟道
SE1991GA
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| SE1991GA | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：223W 类型：N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 359.70 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
SE1991GA的全球分销商及价格
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立创商城 | SE1991GA | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：223W 类型：N沟道 | 1+:￥5.65
10+:￥4.25
30+:￥3.99
100+:￥3.73
500+:￥3.62
1000+:￥3.56
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