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SD4933MR /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
SD4933MR的规格信息
SD4933MR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:40 A

Vds-漏源极击穿电压:200 V

增益:24 dB

输出功率:300 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:M177MR-5

封装:Tray

配置:Triple

工作频率:100 MHz

系列:SD4933MR

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

Pd-功率耗散:648 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

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SD4933MRSTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥1023.81
25+:¥923.43
100+:¥889.98
250+:¥863.21
500+:¥843.13
1000+:¥802.99
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