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SD4933 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
SD4933的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:40 A

Vds-漏源极击穿电压:200 V

增益:24 dB

输出功率:300 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:M177

封装:Bulk

配置:Single

工作频率:100 MHz

系列:SD4933

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:8 S

Pd-功率耗散:648 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

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SD4933STMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz1+:¥1023.15
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SD4933STMicroelectronicsRF POWER TRANSISTOR HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFET - Trays99 : $122.67
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SD4933MRSTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥1023.81
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SD4933MRSTMicroelectronics射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS1:¥1,081.6021
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SD4933STMicroelectronicsRF POWER TRANSISTOR1 : $126.03
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