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SD4931 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
SD4931的规格信息
SD4931的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:20 A

Vds-漏源极击穿电压:200 V

增益:14.8 dB

输出功率:150 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:M174

封装:Bulk

配置:Single

工作频率:250 MHz

系列:SD4931

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:4 S

Pd-功率耗散:389 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

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10+:¥513.88
100+:¥494.31
250+:¥493.85
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