RU30P3B
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道
RU30P3B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.5A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻80mΩ @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1W
类型P沟道
RU30P3B
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立创商城 | RU30P3B | Ruichips(锐骏半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 | 10+:￥0.315071
100+:￥0.237673
300+:￥0.223457
1000+:￥0.209241
5000+:￥0.202923
10000+:￥0.199801
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