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RU3040M2 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.8V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W(Tc) 类型:N沟道
RU3040M2的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)40A(Tc)

栅源极阈值电压1.8V @ 250uA

漏源导通电阻8mΩ @ 25A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)31W(Tc)

类型N沟道

供应商RU3040M2
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深圳市拓亿芯电子有限公司RU3040M2深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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RU3040M2Ruichips(锐骏半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.8V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W(Tc) 类型:N沟道5+:¥0.8404
50+:¥0.6405
150+:¥0.6038
500+:¥0.5671
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