RU30的供应商，RU30规格参数，RU30的PDF资料

RU30的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司	RU30L15H	深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼	0755-83663056 18922805453，18929374037，18922803401	连	询价
深圳市芯幂科技有限公司	RU30106L-VB	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市新启创电子科技有限公司	RU3020H	深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A	0755-83987343 13828773769	胡双能	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	RU30100R	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	RU30120R	华强广场C座18J	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	RU3040M2	深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋603	0755-82777855,0755-82702619 13510175077	刘先生,李小姐	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	RU3020H	深圳市福田区华强北南光大厦510	0755-82522195 13332931905	小柯	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	RU30	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
集好芯城	RU30100L	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市德州众泰科技有限公司	RU30L40M2	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82575351 13360063783	廖小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	RU30100L	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市百域芯科技有限公司	RU30100L	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
深圳诚思涵科技有限公司	RU30	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	RU30J30M	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	RU30120S-R	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市赛美科科技有限公司	RU30100L	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	RU300U-M30E-LI8X2-H1151	深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼210	0755-83230201 19147724283，19147721680	王小姐，刘先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	RU30100L	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	RU30100L	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	RU30106L-VB	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价

RU30及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
RU30	Fast-Recovery Rectifier Diodes	SANKEN[Sanken electric]	23.57 Kbytes	共1页	RU2YX,AP01C,RU31,AS01,FMU-12S,AS01Z,FMU-G16S,RU4M,RU4Y,EU01A
RU30	Fast-Recovery Rectifier Diodes	TAYCHIPST[Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd]	847.98 Kbytes	共1页	无
RU30	High Efficiency Rectifiers	LUGUANG[Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd]	170.08 Kbytes	共2页	无
RU30	HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS	DSK[Diode Semiconductor Korea]	274.57 Kbytes	共2页	无
RU30100L	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	286.96 Kbytes	共9页	无
RU30100M	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	392.53 Kbytes	共8页	无
RU30100R	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	313.29 Kbytes	共9页	无
RU30105L	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	300.86 Kbytes	共9页	无
RU30105R	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	311.51 Kbytes	共9页	无
RU30106L	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	303.72 Kbytes	共9页	无
RU3010H	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	273.75 Kbytes	共9页	无
RU30120L	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	283.34 Kbytes	共9页	无
RU30120M	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	298.72 Kbytes	共9页	无
RU30120R	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	284.69 Kbytes	共9页	无
RU30120S	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	329.03 Kbytes	共8页	无
RU3013H	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	274.29 Kbytes	共9页	无
RU3013H	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]	1387.34 Kbytes	共4页	无
RU30140R	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	294.44 Kbytes	共9页	无
RU30160R	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	283.65 Kbytes	共9页	无
RU30160S	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	334.48 Kbytes	共8页	无
RU30200M	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	389.72 Kbytes	共8页	无
RU3020H	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	302.68 Kbytes	共9页	无
RU3020H	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]	920.05 Kbytes	共5页	无
RU3020L	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]	1143.66 Kbytes	共4页	无
RU30230R	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	450.12 Kbytes	共11页	无
RU30231R	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	310.81 Kbytes	共9页	无
RU30290R	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	310.5 Kbytes	共9页	无
RU30291R	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	313.06 Kbytes	共9页	无
RU30300R	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	449.84 Kbytes	共11页	无
RU3030M2	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPS[Ruichips Semiconductor Co., Ltd]	341.68 Kbytes	共8页	无

RU30的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
MCM Electronics	RU30	Panasonic Electronic Components	DIODE	$1.58
MCM Electronics	RU30A	Panasonic Electronic Components	DIODE	$4.37
立创商城	RU30120R	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥2.64 10+:￥1.99 30+:￥1.87 100+:￥1.75 500+:￥1.69 1000+:￥1.67
立创商城	RU30120S	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥1.794 10+:￥1.344 30+:￥1.26 100+:￥1.176 500+:￥1.14 1000+:￥1.122
立创商城	RU3020H	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：N沟道	5+:￥0.582311 50+:￥0.422361 150+:￥0.392983 500+:￥0.363604 2500+:￥0.350547 5000+:￥0.344095
立创商城	RU3030M2	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：29W(Tc) 类型：N沟道	5+:￥0.920432 50+:￥0.727843 150+:￥0.69247 500+:￥0.657096 2500+:￥0.641375 5000+:￥0.633607
立创商城	RU3040M2	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：N沟道	5+:￥0.8404 50+:￥0.6405 150+:￥0.6038 500+:￥0.5671 2500+:￥0.5507 5000+:￥0.5427
立创商城	RU304B	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道	10+:￥0.279243 100+:￥0.209271 300+:￥0.196419 1000+:￥0.183567 5000+:￥0.177855 10000+:￥0.175032
立创商城	RU3060L	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：53A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道	1+:￥0.9352 10+:￥0.7103 30+:￥0.669 100+:￥0.6277 500+:￥0.6093 1000+:￥0.6002
立创商城	RU3070L	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.3mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W 类型：N沟道	1+:￥1.131 10+:￥0.8618 30+:￥0.8123 100+:￥0.7629 500+:￥0.7409 1000+:￥0.73
立创商城	RU3080L	Ruichips(锐骏半导体)	MOS(场效应管)	1+:￥1.8175 10+:￥1.3277 30+:￥1.2378 100+:￥1.1478 500+:￥1.1078 1000+:￥1.0881
立创商城	RU3089M-C	Ruichips(锐骏半导体)	MOS(场效应管)	1+:￥1.9547 10+:￥1.4649 30+:￥1.375 100+:￥1.285 500+:￥1.245 1000+:￥1.2253
立创商城	RU3090M	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：98A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：66W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥2.84 10+:￥2.14 30+:￥2.01 100+:￥1.88 500+:￥1.82 1000+:￥1.8
立创商城	RU3091M	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 35A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥1.5261 10+:￥1.1512 30+:￥1.0824 100+:￥1.0135 500+:￥0.9829 1000+:￥0.9678
立创商城	RU30C8H	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A,7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 8A,10V;25mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道	1+:￥1.211 10+:￥0.8846 30+:￥0.8247 100+:￥0.7648 500+:￥0.7381 1000+:￥0.725
立创商城	RU30D20M2	Ruichips(锐骏半导体)	MOS(场效应管)	1+:￥1.2421 10+:￥0.8922 30+:￥0.828 100+:￥0.7637 500+:￥0.7352 1000+:￥0.721
立创商城	RU30L15H	VBsemi(台湾微碧)	MOS(场效应管)	1+:￥1.3593 10+:￥1.0044 30+:￥0.9392 100+:￥0.8741 500+:￥0.8451 1000+:￥0.8308
立创商城	RU30L15H	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：P沟道	1+:￥0.8809 10+:￥0.6645 30+:￥0.6248 100+:￥0.585 500+:￥0.5674 1000+:￥0.5586
立创商城	RU30L30M	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W 类型：P沟道	1+:￥1.145 10+:￥0.8451 30+:￥0.79 100+:￥0.7349 500+:￥0.7104 1000+:￥0.6983
立创商城	RU30L30M	VBsemi(台湾微碧)	MOS(场效应管)	1+:￥2.42 10+:￥1.79 30+:￥1.67 100+:￥1.56 500+:￥1.5 1000+:￥1.48
立创商城	RU30P3B	Ruichips(锐骏半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道	10+:￥0.315071 100+:￥0.237673 300+:￥0.223457 1000+:￥0.209241 5000+:￥0.202923 10000+:￥0.199801