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RT1E040RPTR /MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
RT1E040RPTR的规格信息
RT1E040RPTR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSST-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:RT1E040RP

晶体管类型:1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:2.7 S

下降时间:45 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:85 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:RT1E040RP

供应商RT1E040RPTR
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深圳市辉华拓展电子有限公司RT1E040RPTR深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司RT1E040RPTR航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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集好芯城RT1E040RPTR深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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深圳市科思奇电子科技有限公司RT1E040RPTR上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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