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RT1C060UNTR /MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
RT1C060UNTR的规格信息
RT1C060UNTR的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSST-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:11 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:RT1C060UN

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:5.5 S

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:75 ns

典型接通延迟时间:7 ns

零件号别名:RT1C060UN

供应商RT1C060UNTR
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深圳市天卓伟业电子有限公司RT1C060UNTR深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城RT1C060UNTR深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司RT1C060UNTR深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城RT1C060UNTR深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司RT1C060UNTR华强北都会轩26010755-23903154
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上海三崧电子有限公司RT1C060UNTR上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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ChipOneStop		RT1C060UNTRROHM Semiconductor1+:￥3.42
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25+:￥2.5199
100+:￥2.15
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Digi-Key 得捷电子		RT1C060UNTRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 20V 6A 8TSST$0.46000
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