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RT1A045APTCR /MOSFET 1.5V Drive Pch Si MOSFET
RT1A045APTCR的规格信息
RT1A045APTCR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSST-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:40 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:RT1A045AP

晶体管类型:1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:5.5 S

下降时间:150 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:60 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:400 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:RT1A045AP

供应商RT1A045APTCR
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RT1A045APTCRROHM Semiconductor3000+:¥0.91
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