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RQ3E130BNTB /MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
RQ3E130BNTB的规格信息
RQ3E130BNTB的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:HSMT-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:13 A

Rds On-漏源导通电阻:4.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:36 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:34 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:64 ns

典型接通延迟时间:14 ns

零件号别名:RQ3E130BN

供应商RQ3E130BNTB
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深圳市河锋鑫科技有限公司RQ3E130BNTB华强北都会轩26010755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司RQ3E130BNTB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司RQ3E130BNTB深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市坤融电子有限公司RQ3E130BNTB航都大厦10I0755-23990975
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深圳市辉华拓展电子有限公司RQ3E130BNTB深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城RQ3E130BNTB深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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深圳市高捷芯城科技有限公司RQ3E130BNTB深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司RQ3E130BNTB深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市芯泽盛世科技有限公司RQ3E130BNTB龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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上海三崧电子有限公司RQ3E130BNTB上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市宇浩扬科技有限公司RQ3E130BNTB深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市智连鑫科技有限公司RQ3E130BNTB深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
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深圳市华芯盛世科技有限公司RQ3E130BNTB深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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深圳市鸿锦熙贸易有限公司RQ3E130BNTB深圳市福田区华强北街道华航社区华强北路1019号华强广场D座5层Q5C028号18123863116，18123868661朱芳仪Email:1564820475@qq.com询价
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