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RQ1E070RPTR /MOSFET MID PWR MOSFET SER
RQ1E070RPTR的规格信息
RQ1E070RPTR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSMT-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:7 A

Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:50 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:6 S

下降时间:70 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:140 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:RQ1E070RP

供应商RQ1E070RPTR
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深圳市河锋鑫科技有限公司RQ1E070RPTR华强北都会轩26010755-23903154
13430590551
杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司RQ1E070RPTR深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司RQ1E070RPTR深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
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17318082080,13510287235
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6000+:¥3.0299
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Digi-Key 得捷电子
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