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RQ1C075UNTR /MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
RQ1C075UNTR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSMT-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:7.5 A

Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:18 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.85 mm

长度:3 mm

产品:MOSFET

晶体管类型:1 N-channel

类型:Power MOSFET

宽度:2.4 mm

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:7 S

下降时间:85 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:50 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:RQ1C075UN

供应商RQ1C075UNTR
RQ1C075UNTR的供应商,可免费索样
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深圳市毅创腾电子科技有限公司RQ1C075UNTR深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司RQ1C075UNTR深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司RQ1C075UNTR华强北都会轩26010755-23903154
13430590551
杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司RQ1C075UNTR深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司RQ1C075UNTR航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城RQ1C075UNTR深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
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深圳市辉华拓展电子有限公司RQ1C075UNTR深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城RQ1C075UNTR深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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芯莱德电子(香港)有限公司RQ1C075UNTR深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司RQ1C075UNTR深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司RQ1C075UNTR深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市斌腾达科技有限公司RQ1C075UNTR深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
上海三崧电子有限公司RQ1C075UNTR上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市科思奇电子科技有限公司RQ1C075UNTR上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市宇浩扬科技有限公司RQ1C075UNTR深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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RQ1C075UNTRMOSFET 1.5V Drive Nch MOSFETROHM SemiconductorROHM Semiconductor的LOGO1.51 Mbytes共14页RQ1C075UNTR的PDF下载地址
RQ1C075UNTRMOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8Rohm SemiconductorRohm Semiconductor的LOGO1.47 Mbytes共14页RQ1C075UNTR的PDF下载地址
RQ1C075UNTR连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:16mΩ @ 7.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO2.44 Mbytes共13页RQ1C075UNTR的PDF下载地址
RQ1C075UNTR的全球分销商及价格
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RQ1C075UNTRROHM Semiconductor1+:¥4.37
10+:¥3.6899
25+:¥3.23
100+:¥2.76
250+:¥2.4
500+:¥2.03
1000+:¥1.561+:¥3.36
10+:¥2.49
100+:¥1.57
1000+:¥1.38
3000+:¥1.3301
9000+:¥1.22
24000+:¥1.1799
45000+:¥1.1601
99000+:¥1.135+:¥4.04
10+:¥3.37
50+:¥3.2
100+:¥3
200+:¥2.8599
500+:¥2.55
1000+:¥2.481+:¥5.0101
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ChipOneStop
RQ1C075UNTRROHM Semiconductor1+:¥4.37
10+:¥3.6899
25+:¥3.23
100+:¥2.76
250+:¥2.4
500+:¥2.03
1000+:¥1.561+:¥3.36
10+:¥2.49
100+:¥1.57
1000+:¥1.38
3000+:¥1.3301
9000+:¥1.22
24000+:¥1.1799
45000+:¥1.1601
99000+:¥1.135+:¥4.04
10+:¥3.37
50+:¥3.2
100+:¥3
200+:¥2.8599
500+:¥2.55
1000+:¥2.48
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Digi-Key 得捷电子
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8$0.66000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
RQ1C075UNTRROHM Semiconductor1+:¥4.37
10+:¥3.6899
25+:¥3.23
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Mouser 贸泽电子
RQ1C075UNTRROHM SemiconductorMOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.6724
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Mouser 贸泽电子
RQ1C075UNTRROHM Semiconductor1+:¥4.37
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99000+:¥1.13
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RQ1C075UNTRROHM(罗姆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:16mΩ @ 7.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道1+:¥0.648
10+:¥0.63