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RN1964FE(TE85L,F) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
RN1964FE(TE85L,F)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：RN1961-66FE -

标准包装：4,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：47k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：47k

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 10mA，5V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

频率 - 跃迁：250MHz

功率 - 最大值：100mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：ES6

其它名称：RN1964FE(TE85LF)TRRN1964FETE85LF

供应商RN1964FE(TE85L,F)
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集好芯城RN1964FE(TE85L,F)深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司RN1964FE(TE85L,F)深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
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深圳市坤融电子有限公司RN1964FE(TE85L,F)航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
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集好芯城RN1964FE(TE85L,F)深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市宇浩扬科技有限公司RN1964FE(TE85L,F)深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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Arrow(艾睿)		RN1964FE(TE85L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 - 分立半导体产品4000+:￥0.4801
8000+:￥0.43
12000+:￥0.36
28000+:￥0.34
100000+:￥0.28
200000+:￥0.274000+:￥0.3499
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Digi-Key 得捷电子		RN1964FE(TE85L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 - 分立半导体产品4000+:￥0.4801
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28000+:￥0.34
100000+:￥0.28
200000+:￥0.27
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Digi-Key 得捷电子		RN1964FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6$0.10000
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Mouser 贸泽电子		RN1964FE(TE85L,F)Toshiba双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN 2-in-1 100mA 50V1:¥3.2318
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Mouser 贸泽电子		RN1964FE(TE85L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 - 分立半导体产品4000+:￥0.4801
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