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RN1110MFV(TPL3) /双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms

RN1110MFV(TPL3)的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:否

配置:Single

晶体管极性:NPN

安装风格:SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min:700

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:100 mA

Pd-功率耗散:150 mW

最大工作温度:+ 150 C

系列:RN1110MFV

封装:Reel

集电极—基极电压 VCBO:50 V

直流电流增益 hFE 最大值:120 @ 1mA @ 5V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

商标:Toshiba

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:8000

子类别:Transistors

RN1110MFV(TPL3)的供应商,可免费索样

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Mouser 贸泽电子	RN1110MFV(TPL3)	Toshiba	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms	价格未公开

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