RM6003S2
/MOSFET SOT-23 MOSFET
RM6003S2的规格信息
制造商:Rectron
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:3 A
Rds On-漏源导通电阻:105 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:6 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.7 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Reel
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Rectron
正向跨导 - 最小值:3 S
下降时间:10 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:15 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:15 ns
典型接通延迟时间:6 ns
RM6003S2
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型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
RM6003S2 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | RECTRON[Rectron Semiconductor] | ![RECTRON[Rectron Semiconductor]的LOGO](/PdfSupLogo/128RECTRON.GIF) | 203.35 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
RM6003S2的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | RM6003S2 | Rectron | MOSFET SOT-23 MOSFET | 9,000:¥0.48364 24,000:¥0.47686
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