RM5N800LD-T
/MOSFET D-PAK MOSFET
RM5N800LD-T的规格信息
制造商:Rectron
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:800 V
Id-连续漏极电流:5 A
Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:22 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:81 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Reel
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Rectron
正向跨导 - 最小值:5.5 S
下降时间:9 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:5 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:70 ns
典型接通延迟时间:7 ns
RM5N800LD-T
RM5N800LD-T及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
RM5N800LD-T | MOSFET D-PAK MOSFET | Rectron |  | 499.91 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
RM5N800LD-T的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | RM5N800LD-T | Rectron | MOSFET D-PAK MOSFET | 2,500:¥5.6613 5,000:¥5.1754 10,000:¥4.7234
|