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RM4P30S6 /MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23-6
RM4P30S6的规格信息
RM4P30S6的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±12V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds880 pF @ 15 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)1.2W (Ta)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSOT-23-6

Package / CaseSOT-23-6

供应商RM4P30S6
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