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RM4P20ES6 /MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23-6
RM4P20ES6的规格信息
RM4P20ES6的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta), 4.1A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±12V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds740 pF @ 4 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)1.7W (Ta)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSOT-23-6

Package / CaseSOT-23-6

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