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RM4N700S4 /MOSFET N-CH 700V 4A SOT223-2
RM4N700S4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)700 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds304 pF @ 50 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)5.2W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSOT-223-2

Package / CaseTO-261-3

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