RGTV60TK65DGVC11
/IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGTV60TK65DGVC11的规格信息
制造商:ROHM Semiconductor
产品种类:IGBT 晶体管
RoHS:是
技术:Si
封装 / 箱体:TO-3PFM
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
集电极—射极饱和电压:1.5 V
栅极/发射极最大电压:30 V
在25 C的连续集电极电流:33 A
Pd-功率耗散:76 W
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 175 C
封装:Tube
集电极最大连续电流 Ic:33 A
商标:ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流:200 nA
产品类型:IGBT Transistors
子类别:IGBTs
RGTV60TK65DGVC11
RGTV60TK65DGVC11及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| RGTV60TK65DGVC11 | IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT | ROHM Semiconductor |  | 1.78 Mbytes | 共13页 |  | 无 |
RGTV60TK65DGVC11的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | RGTV60TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT | 1:¥43.1095
10:¥36.6572
100:¥31.8095
250:¥30.1258
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