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RGTH40TS65DGC11 /IGBT 晶体管 650V 20A IGBT Stop Trench
RGTH40TS65DGC11的规格信息
RGTH40TS65DGC11的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:30 V

在25 C的连续集电极电流:40 A

Pd-功率耗散:144 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:RGTH40TS65

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:85 A

工作温度范围:- 40 C to + 175 C

商标:ROHM Semiconductor

集电极连续电流:20 A

栅极—射极漏泄电流:+/- 200 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:450

子类别:IGBTs

零件号别名:RGTH40TS65D

单位重量:38 g

供应商RGTH40TS65DGC11
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RGTH40TS65DGC11ROHM Semiconductor1+:¥20.0699
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