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RGTH60TS65DGC11 /IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench
RGTH60TS65DGC11的规格信息
RGTH60TS65DGC11的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:30 V

在25 C的连续集电极电流:58 A

Pd-功率耗散:194 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:RGTH60TS65

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:58 A

工作温度范围:- 40 C to + 175 C

商标:ROHM Semiconductor

集电极连续电流:30 A

栅极—射极漏泄电流:+/- 200 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:450

子类别:IGBTs

零件号别名:RGTH60TS65D

单位重量:2 g

供应商RGTH60TS65DGC11
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