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RFM12U7X(TE12L,Q) /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
RFM12U7X(TE12L,Q)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:4 A

Vds-漏源极击穿电压:20 V

增益:10.8 dB

输出功率:12 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PW-X-4

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

工作频率:520 MHz

系列:RFM12

类型:RF Power MOSFET

商标:Toshiba

Pd-功率耗散:20 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

供应商RFM12U7X(TE12L,Q)
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深圳市瑞浩芯科技有限公司RFM12U7X(TE12L,Q)深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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深圳市拓亿芯电子有限公司RFM12U7X(TE12L,Q)深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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