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RFM00U7U(TE85L,F) /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
RFM00U7U(TE85L,F)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:100 mA

Vds-漏源极击穿电压:20 V

增益:13 dB

输出功率:200 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-343-4

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Dual

工作频率:520 MHz

系列:RFM00

类型:RF Power MOSFET

商标:Toshiba

Pd-功率耗散:250 mW (1/4 W)

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

供应商RFM00U7U(TE85L,F)
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Digi-Key 得捷电子		RFM00U7U(TE85L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.RF FET - 分立半导体产品3000+:￥4.25
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