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RFM01U7P(TE12L,F) /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V
RFM01U7P(TE12L,F)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:1 A

Vds-漏源极击穿电压:20 V

增益:10.8 dB

输出功率:1.2 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PW-Mini-3

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

工作频率:520 MHz

系列:RFM01

类型:RF Power MOSFET

商标:Toshiba

Pd-功率耗散:3 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

单位重量:50 mg

供应商RFM01U7P(TE12L,F)
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13261242936		王静Email:wangjing@chipspower.com询价
深圳市芯幂科技有限公司RFM01U7P(TE12L,F)深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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深圳市凌特半导体科技有限公司RFM01U7P(TE12L,F)广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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Arrow(艾睿)		RFM01U7P(TE12L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.RF FET - 分立半导体产品1+:￥19.35
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Digi-Key 得捷电子		RFM01U7P(TE12L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.RF FET - 分立半导体产品1+:￥19.35
10+:￥17.49
25+:￥15.67
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Digi-Key 得捷电子		RFM01U7P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH PW-MINI$2.46000
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Mouser 贸泽电子		RFM01U7P(TE12L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.RF FET - 分立半导体产品1+:￥19.35
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