制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:8 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 10 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:48000 mW

封装 / 箱体:TO-252-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:20 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:50 ns

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:10 ns