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RFD7N10LE / MOSFET
RFD7N10LE的规格信息
RFD7N10LE的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:7 A

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :10 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:47000 mW

封装 / 箱体:TO-251AA-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:18 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:65 ns

典型关闭延迟时间:23 ns

典型接通延迟时间:10 ns

供应商RFD7N10LE
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深圳市天卓伟业电子有限公司RFD7N10LESM深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司RFD7N10LESM航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城RFD7N10LE深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市芯泽盛世科技有限公司RFD7N10LE龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司RFD7N10LE深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市芯幂科技有限公司RFD7N10LE深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市高捷半导体有限公司RFD7N10LE深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市惊羽科技有限公司RFD7N10LESM深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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深圳市威雅利发展有限公司RFD7N10LESM华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
RFD7N10LE及相关型号的PDF资料
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RFD7N10LE7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO361.53 Kbytes共7页RFD7N10LE的PDF下载地址RFG40N10LE,RFP2N08L,HUF76609D3,HUF76132P3,HUFA76419P3,HUF76139P3,RFL1N12L,HUF76619D3,HUFA76423D3,HUF76107D3
RFD7N10LESM7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO361.53 Kbytes共7页RFD7N10LESM的PDF下载地址RFG40N10LE,RFP2N08L,HUF76609D3,HUF76132P3,HUFA76419P3,HUF76139P3,RFL1N12L,HUF76619D3,HUFA76423D3,HUF76107D3
RFD7N10LE的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		RFD7N10LEHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET$0.46000
元器件资料网-Rochester Electronics的LOGO
Rochester Electronics		RFD7N10LEHarris CorporationM: 7N10LE500 : $0.88
1,000 : $0.84
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