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RFD8P06LE / MOSFET
RFD8P06LE的规格信息
RFD8P06LE的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:8 A

Vds-漏源极击穿电压:- 60 V

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :10 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:48 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:IPAK-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:20 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:50 ns

系列:RFD8P06

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:10 ns

供应商RFD8P06LE
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深圳市辉华拓展电子有限公司RFD8P06LESM深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
18126117392
陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司RFD8P06LE深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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集好芯城RFD8P06LE深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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芯莱德电子(香港)有限公司RFD8P06LE深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市仓实科技有限公司RFD8P06LE深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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深圳市凌特半导体科技有限公司RFD8P06LE广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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万三科技(深圳)有限公司RFD8P06LE深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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RFD8P06LE8A, 60V, 0.300 Ohm, ESD Rated, Logic Level, P-Channel Power MOSFET INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO102.78 Kbytes共8页RFD8P06LE的PDF下载地址RFT3055LE,RFP30N06LE,RFT1P06E,RFG60P06E,RLD03N06CLE,RFP30N06LE,RFG60P06E,RFD15N06LE,HUF76407P3,HUF76423D3
RFD8P06LESM8A, 60V, 0.300 Ohm, ESD Rated, Logic Level, P-Channel Power MOSFET INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO102.78 Kbytes共8页RFD8P06LESM的PDF下载地址RFT3055LE,RFP30N06LE,RFT1P06E,RFG60P06E,RLD03N06CLE,RFP30N06LE,RFG60P06E,RFD15N06LE,HUF76407P3,HUF76423D3
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RFD8P06LEFairchild SemiconductorP-CHANNEL POWER MOSFET$0.30000
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RFD8P06LESMHarris Corporation 8 A, 60 V, 0.33 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA3 : $1.53
1 : $2.04
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Rochester Electronics
RFD8P06LEHarris CorporationM:F8P6LE500 : $0.61
1,000 : $0.58