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RE1C002UNTCL /MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET
RE1C002UNTCL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-416FL-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:200 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:2.5 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:400 ms

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:RE1C002UN

单位重量:6 mg

供应商RE1C002UNTCL
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RE1C002UNTCLROHM Semiconductor3000+:¥0.25
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10+:¥0.72
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