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RE1C001UNTCL /MOSFET
RE1C001UNTCL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-416FL-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:100 mA

Rds On-漏源导通电阻:3.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel MOSFET

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:38 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:RE1C001UN

单位重量:6 mg

供应商RE1C001UNTCL
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深圳市天卓伟业电子有限公司RE1C001UNTCL深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
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深圳市芯幂科技有限公司RE1C001UNTCL深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司RE1C001UNTCL深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市坤融电子有限公司RE1C001UNTCL航都大厦10I0755-23990975
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集好芯城RE1C001UNTCL深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市百域芯科技有限公司RE1C001UNTCL世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市宇浩扬科技有限公司RE1C001UNTCL深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市赛美科科技有限公司RE1C001UNTCL广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市水星电子有限公司RE1C001UNTCL地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市斌腾达科技有限公司RE1C001UNTCL深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市骏凯诚科技有限公司RE1C001UNTCL深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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深圳市芯泽盛世科技有限公司RE1C001UNTCL龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市科思奇电子科技有限公司RE1C001UNTCL上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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RE1C001UNTCLMOSFETROHM SemiconductorROHM Semiconductor的LOGO1.31 Mbytes共12页RE1C001UNTCL的PDF下载地址
RE1C001UNTCL连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 100uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO2.14 Mbytes共13页RE1C001UNTCL的PDF下载地址
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RE1C001UNTCLROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥2.55
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100+:¥1.31
250+:¥0.8201
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1000+:¥0.48011+:¥2.03
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99000+:¥0.2550+:¥0.29
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Digi-Key 得捷电子
RE1C001UNTCLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F$0.36000
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
RE1C001UNTCLROHM SemiconductorMOSFET1:¥2.6103
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100:¥0.72207
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3,000:¥0.3842
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Mouser 贸泽电子
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RE1C001UNTCLROHM(罗姆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 100uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道10+:¥0.225032
100+:¥0.164764
300+:¥0.153695
1000+:¥0.142625
5000+:¥0.137705
10000+:¥0.135274