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RE1C001ZPTL /MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
RE1C001ZPTL的规格信息
RE1C001ZPTL的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-416FL-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:100 mA

Rds On-漏源导通电阻:3.8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 P-Channel MOSFET

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:137 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:62 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:325 ns

典型接通延迟时间:46 ns

零件号别名:RE1C001ZP

单位重量:6 mg

供应商RE1C001ZPTL
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