制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSMT-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:3.5 A

Rds On-漏源导通电阻:38 mOhms, 38 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:4.6 nC, 4.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:QS8K2

晶体管类型:2 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:13 ns, 13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns, 12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:29 ns, 29 ns

典型接通延迟时间:8 ns, 8 ns

零件号别名:QS8K2