制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSMT-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel, PNP

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:44 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:13 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

系列:QS8F2

晶体管类型:1 P-Channel, PNP

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:85 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:130 ns

典型接通延迟时间:9 ns