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QS8J1TR /MOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching
QS8J1TR的规格信息
QS8J1TR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSMT-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:29 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

长度:3 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:QS8J1

晶体管类型:2 P-Channel

宽度:2.4 mm

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:215 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:75 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:390 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:QS8J1

供应商QS8J1TR
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