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PXAC201202FC-V2-R0 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PXAC201202FC-V2-R0的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:240 mA

Vds-漏源极击穿电压:65 V

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms

增益:16.5 dB

输出功率:120 W

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:H-37248-4

封装:Reel

工作频率:1800 MHz to 2200 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Wolfspeed / Cree

通道数量:2 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:2.69 V

PXAC201202FC-V2-R0

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PXAC201202FC-V2-R0	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	Wolfspeed / Cree		459.77 Kbytes	共10页		无

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销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	PXAC201202FC-V2-R0	Wolfspeed / Cree	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥512.6019

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