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PXAC192908FV-V1-R0 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PXAC192908FV-V1-R0的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:Dual N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:65 V

Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms

增益:14 dB

输出功率:240 W

最大工作温度:+ 225 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:H-37275G-6/2

封装:Reel

工作频率:1930 MHz to 1995 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Wolfspeed / Cree

通道数量:2 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

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深圳市新启创电子科技有限公司	PXAC192908FV-V1-R0	深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A	0755-83987343 13828773769	胡双能	询价
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PXAC192908FV-V1-R0	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	Wolfspeed / Cree		424.65 Kbytes	共9页		无

PXAC192908FV-V1-R0的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	PXAC192908FV-V1-R0	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET TRANSISTORS	$128.62500
Mouser 贸泽电子	PXAC192908FV-V1-R0	Wolfspeed / Cree	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥1,036.2665

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