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PXAC200902FC-V1-R2 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PXAC200902FC-V1-R2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:Dual N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:65 V

Rds On-漏源导通电阻:220 mOhms

增益:17.2 dB

输出功率:90 W

最大工作温度:+ 225 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:H-37248-4

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

工作频率:1805 MHz to 2170 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Wolfspeed / Cree

通道数量:2 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

供应商PXAC200902FC-V1-R2
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