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PSMN6R3-120ESQ /MOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET
PSMN6R3-120ESQ的规格信息
PSMN6R3-120ESQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Id-连续漏极电流:70 A

Rds On-漏源导通电阻:6.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:207.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:405 W

配置:Single

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:67.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:58.2 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:142.1 ns

典型接通延迟时间:42.1 ns

单位重量:2.387 g

供应商PSMN6R3-120ESQ
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深圳市芯幂科技有限公司PSMN6R3-120ESQ深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN6R3-120ESQ深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN6R3-120ESQ深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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13352985419,19076157484
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司PSMN6R3-120ESQ深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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万三科技(深圳)有限公司PSMN6R3-120ESQ深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市科思奇电子科技有限公司PSMN6R3-120ESQ上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市芯泽盛世科技有限公司PSMN6R3-120ESQ龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司PSMN6R3-120ESQ深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司PSMN6R3-120ESQ深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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PSMN6R3-120ESQNXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET5000+:¥10.52011+:¥18.3
10+:¥14.74
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Digi-Key 得捷电子
PSMN6R3-120ESQNXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET5000+:¥10.5201
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
PSMN6R3-120ESQNexperiaMOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET1:¥18.5207
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10000+:¥10.671+:¥12.53991+:¥9.23
25+:¥9.15
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PSMN6R3-120ESQNexperia(安世)MOS(场效应管)1+:¥22.16
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