FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：25V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：60A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：702pF @ 12V
Vgs（最大值）：±20V
FET功能：肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）：42W(Tc)
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：7.24 毫欧 @ 15A， 10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
无铅情况/RoHs：否