制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:LFPAK56E-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:5.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:65.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:294 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:19.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16.3 ns

工厂包装数量:1500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35.1 ns

典型接通延迟时间:17.4 ns