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PSMN4R3-80ES,127 /MOSFET N-Ch 80V 4.3 mOhms
PSMN4R3-80ES,127的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:I2PAK-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:4.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:104 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:306 W

配置:Single

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

单位重量:2.387 g

供应商PSMN4R3-80ES,127
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN4R3-80ES,127深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯幂科技有限公司PSMN4R3-80ES,127深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市天卓伟业电子有限公司PSMN4R3-80ES,127深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN4R3-80ES,127深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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13352985419,19076157484
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13380394549
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PSMN4R3-80ES,127NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥21.97
10+:¥19.81
25+:¥17.69
100+:¥15.92
250+:¥14.15
500+:¥12.38
1000+:¥10.26
2500+:¥9.555000+:¥9.491+:¥10.98
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10+:¥19.81
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PSMN4R3-80ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 80V 4.3 mOhms1:¥22.0576
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Verical
PSMN4R3-80ES,127NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥21.97
10+:¥19.81
25+:¥17.69
100+:¥15.92
250+:¥14.15
500+:¥12.38
1000+:¥10.26
2500+:¥9.555000+:¥9.491+:¥10.981+:¥16.25
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PSMN4R3-80ES,127Nexperia(安世)MOS(场效应管)1+:¥27.07
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1000+:¥9.93