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PSMN4R0-60YS,115 /MOSFET 60V N-Channel LFPAK Standard Level FET
PSMN4R0-60YS,115的规格信息
PSMN4R0-60YS,115的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:LFPAK56-5

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:8.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:56 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:130 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:24 ns

工厂包装数量:1500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:44 ns

典型接通延迟时间:23 ns

单位重量:85.100 mg

供应商PSMN4R0-60YS,115
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN4R0-60YS,115深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司PSMN4R0-60YS,115深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市芯泽盛世科技有限公司PSMN4R0-60YS,115龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司PSMN4R0-60YS,115深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市芯奕科技有限公司PSMN4R0-60YS,115深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
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深圳市华芯盛世科技有限公司PSMN4R0-60YS,115深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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深圳市良普科电子有限公司PSMN4R0-60YS,115华强北上步工业区501栋503室0755-82568696
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万三科技（深圳）有限公司PSMN4R0-60YS,115深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
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PSMN4R0-60YS,115MOSFET N-CH 60V 74A LFPAKNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO747.77 Kbytes共13页PSMN4R0-60YS,115的PDF下载地址无
PSMN4R0-60YS,115连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：4mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO747.77 Kbytes共13页PSMN4R0-60YS,115的PDF下载地址无
PSMN4R0-60YS,115的全球分销商及价格
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Mouser 贸泽电子		PSMN4R0-60YS,115NexperiaMOSFET 60V N-Channel LFPAK Standard Level FET1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,500:¥4.3957
9,000:查看
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立创商城		PSMN4R0-60YS,115Nexperia(安世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：4mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：N沟道1+:￥16.31
10+:￥12.04
30+:￥11.25
100+:￥10.46
500+:￥10.12
1000+:￥9.94
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