包装标准卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）120A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）3.95 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）246nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）16370pF @ 50V

FET 功能-

功率耗散（最大值）405W（Ta）

工作温度175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装D2PAK

封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB