FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：100A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：49nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2754pF @ 20V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：117W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：3.3 毫欧 @ 25A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-100，SOT-669

封装形式Package：LFPAK

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：40V

连续漏极电流ID：100A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs