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PSMN3R0-30YLDX /MOSFET 30V N-Channel 3.0mOhm
PSMN3R0-30YLDX的规格信息
PSMN3R0-30YLDX的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:LFPAK56-5

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:2.2 V

Qg-栅极电荷:46.4 nC

Pd-功率耗散:91 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:12.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:1500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16.9 ns

典型接通延迟时间:13.5 ns

单位重量:90 mg

供应商PSMN3R0-30YLDX
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深圳市联芯邦科技有限公司PSMN3R0-30YLDX深圳市龙华区上芬地铁口融创智汇大厦A座901-902室/深圳市福田区深纺大厦AB座2楼有谷电子市场B023室18898775818
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廖先生,连敏妹Email:liaominggui@lxbchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司PSMN3R0-30YLDX深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN3R0-30YLDX深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市坤融电子有限公司PSMN3R0-30YLDX航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市创科捷佳电子有限公司PSMN3R0-30YLDX深圳市福田区中航路鼎诚大厦10楼1009-11090755-82722720
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深圳和润天下电子科技有限公司PSMN3R0-30YLDX深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司PSMN3R0-30YLDX华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN3R0-30YLDX深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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芯莱德电子(香港)有限公司PSMN3R0-30YLDX深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司PSMN3R0-30YLDX深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司PSMN3R0-30YLDX深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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万三科技(深圳)有限公司PSMN3R0-30YLDX深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市高捷半导体有限公司PSMN3R0-30YLDX深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司PSMN3R0-30YLDX上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市智连鑫科技有限公司PSMN3R0-30YLDX深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
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深圳市芯泽盛世科技有限公司PSMN3R0-30YLDX龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司PSMN3R0-30YLDX深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司PSMN3R0-30YLDX深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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PSMN3R0-30YLDXMOSFET N-CH 30V 100A LFPAKNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO721.93 Kbytes共13页PSMN3R0-30YLDX的PDF下载地址
PSMN3R0-30YLDX连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 1mA 漏源导通电阻:3.1mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):91W(Tc) 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO721.93 Kbytes共13页PSMN3R0-30YLDX的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
PSMN3R0-30YLDXNXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel 3.0mOhm1+:¥6.04
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
PSMN3R0-30YLDXNexperiaMOSFET 30V N-Channel 3.0mOhm1:¥6.0681
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Mouser 贸泽电子
PSMN3R0-30YLDXNXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel 3.0mOhm1+:¥6.04
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立创商城
PSMN3R0-30YLDXNexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 1mA 漏源导通电阻:3.1mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):91W(Tc) 类型:N沟道1+:¥5.74
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