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PSMN013-100PS,127 /MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET
PSMN013-100PS,127的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:68 A

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:59 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:170 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:9.4 mm

长度:10.3 mm

晶体管类型:1 N-Channel

类型:N-Channel 100 V 13.9 mOhms Standard Level MOSFET in TO220

宽度:4.7 mm

商标:Nexperia

下降时间:24 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:52.5 ns

典型接通延迟时间:20.7 ns

单位重量:6 g

供应商PSMN013-100PS,127
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10+:¥6.09
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2500+:¥3.73
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50000+:¥3.45