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PSMN005-75B / MOSFET
PSMN005-75B的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:75 A

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:230 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Reel

商标:NXP Semiconductors

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:74 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:73 ns

典型关闭延迟时间:144 ns

典型接通延迟时间:37 ns

供应商PSMN005-75B
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”13725596657“17503034873
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PSMN005-75BN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO271.43 Kbytes共13页PSMN005-75B的PDF下载地址PH1955L,PHB191NQ06LT,BUK7520-55A,BUK9615-100A,PSMN005-25D,PHP21N06LT,PHP55N03LT,PHP69N03LT,IRLZ34N,PHN1015
PSMN005-75BN-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET NXP[NXP Semiconductors]NXP[NXP Semiconductors]的LOGO190.53 Kbytes共13页PSMN005-75B的PDF下载地址
PSMN005-75B,118MOSFET TAPE13 PWR-MOSNexperiaNexperia的LOGO675.71 Kbytes共13页PSMN005-75B,118的PDF下载地址
PSMN005-75B,118MOSFET N-CH 75V 75A D2PAKNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO683.88 Kbytes共13页PSMN005-75B,118的PDF下载地址
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PSMN005-75B,118NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品4800+:¥8.514800+:¥8.81
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PSMN005-75B,118Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK$1.07625
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Digi-Key 得捷电子
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PSMN005-75B,118NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品4800+:¥8.514800+:¥8.81
9600+:¥8.431+:¥8.56
150+:¥8.4
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Mouser 贸泽电子
PSMN005-75B,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS1:¥20.3626
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100:¥13.8312
500:¥12.1362
800:¥10.0683
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Mouser 贸泽电子
PSMN005-75B,118NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品4800+:¥8.514800+:¥8.81
9600+:¥8.43